8 (831) 2-100-100
Вход в личный кабинет
Зарегистрироваться
Перейти в корзину
0 товаров на сумму 0
Главная
Каталог НТД

ГОСТ 11630-84 Приборы полупроводниковые. Общие технические условия

Тип: ГОСТ 11630-84

Статус: Информация о статусе доступна в коммерческой версии NormaCS. Ограничение срока действия снято: Постановление Госстандарта № 826 от 30.07.92

Текст документа: присутствует

Изображение документа: присутствует

Страниц в документе: 42

Утвержден: Госстандарт СССР, 29.06.1984

Комментарий: Переиздание (август 1985 г.)

Приборы полупроводниковые. Общие технические условия

Информацию о документе или его статусе Вы можете запросить у Оператора, воспользовавшись формой в правом нижнем углу сайта

При запросе просим обратить внимание, что мы продаем библиотеку Нормативно-технической документации (а не товары, гвозди, балки и прочее). Так же мы не продаем документы отдельно. Однако если Вы попали на эту страницу и видите первую страницу документа - это означает, что он у нас есть. Всего в системе около 150 000 нормативно-технических документов. Если Вам необходим только один документ - мы готовы его предоставить совершенно бесплатно  в рамках 3х-дневной  опытной эксплуатации.   Для этого отправьте свой Email, нажав на кнопку "получить документ", чтобы мы выслали Вам инструкцию по установке программы.  Существуют несколько вариантов проведения опытной эксплуатации (Вы  можете заказать винчестер с дистрибутивом, либо пригласить специалиста к себе в компанию). Мы готовы ответить на Ваши вопросы в любой рабочий день с 9 до 18 по Московскому времени по телефону  (831) 2-100-100.


Документ входит в следующие классификаторы и разделы:

Документ действует взамен:

  • ГОСТ 11630-70 - Приборы полупроводниковые для устройств широкого применения. Общие технические условия

Документ ссылается на:

  • ГОСТ 11630-70 - Приборы полупроводниковые для устройств широкого применения. Общие технические условия
  • ГОСТ 14192-77 - Маркировка грузов
  • ГОСТ 14192-96 - Маркировка грузов
  • ГОСТ 15150-69 - Машины, приборы и другие технические изделия. Исполнения для различных климатических районов. Категории, условия эксплуатации, хранения и транспортирования в части воздействия климатических факторов внешней среды
  • ГОСТ 18242-72 - Статистический приемочный контроль по альтернативному признаку. Планы контроля
  • ГОСТ 18472-88 - Приборы полупроводниковые. Основные размеры
  • ГОСТ 18604.0-83 - Транзисторы биполярные. Общие требования при измерении электрических параметров
  • ГОСТ 18604.1-80 - Транзисторы биполярные. Метод измерения постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте
  • ГОСТ 18604.10-76 - Транзисторы биполярные. Метод измерения входного сопротивления
  • ГОСТ 18604.11-88 - Транзисторы биполярные. Метод измерения коэффициента шума на высоких и сверхвысоких частотах
  • ГОСТ 18604.13-77 - Транзисторы биполярные СВЧ генераторные. Методы измерения выходной мощности и определения коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия коллектора
  • ГОСТ 18604.15-77 - Транзисторы биполярные СВЧ генераторные. Методы измерения критического тока
  • ГОСТ 18604.16-78 - Транзисторы биполярные. Метод измерения коэффициента обратной связи по напряжению в режиме малого сигнала
  • ГОСТ 18604.22-78 - Транзисторы биполярные. Методы измерения напряжения насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер
  • ГОСТ 18604.23-80 - Транзисторы биполярные. Метод измерения коэффициентов комбинационных составляющих
  • ГОСТ 18604.24-81 - Транзисторы биполярные высокочастотные. Метод измерения выходной мощности коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия коллектора
  • ГОСТ 18604.3-80 - Транзисторы биполярные. Методы измерения емкостей коллекторного и эммитерного переходов
  • ГОСТ 18604.4-74 - Транзисторы. Метод измерения обратного тока коллектора
  • ГОСТ 18604.8-74 - Транзисторы. Метод измерения выходной проводимости
  • ГОСТ 18604.9-82 - Транзисторы биполярные. Методы определения граничной и предельной частот коэффициента передачи тока
  • ГОСТ 18986.0-74 - Диоды полупроводниковые. Методы измерения электрических параметров. Общие положения
  • ГОСТ 18986.1-73 - Диоды полупроводниковые. Метод измерения постоянного обратного тока
  • ГОСТ 18986.10-74 - Диоды полупроводниковые. Методы измерения индуктивности
  • ГОСТ 18986.13-74 - Диоды полупроводниковые туннельные. Методы измерения пикового тока, тока впадины, пикового напряжения, напряжения впадины, напряжения раствора
  • ГОСТ 18986.14-85 - Диоды полупроводниковые. Методы измерения дифференциального и динамического сопротивлений
  • ГОСТ 18986.15-75 - Стабилитроны полупроводниковые. Метод измерения напряжения стабилизации
  • ГОСТ 18986.16-72 - Диоды полупроводниковые выпрямительные. Методы измерения среднего значения прямого напряжения и среднего значения обратного тока
  • ГОСТ 18986.17-73 - Стабилитроны полупроводниковые. Метод измерения температурного коэффициента напряжения стабилизации
  • ГОСТ 18986.19-73 - Варикапы. Метод измерения добротности
  • ГОСТ 18986.20-77 - Стабилитроны полупроводниковые прецизионные. Метод измерения времени выхода на режим
  • ГОСТ 18986.21-78 - Стабилитроны и стабисторы полупроводниковые. Метод измерения временной нестабильности напряжения стабилизации
  • ГОСТ 18986.22-78 - Стабилитроны полупроводниковые. Методы измерения дифференциального сопротивления
  • ГОСТ 18986.23-80 - Стабилитроны полупроводниковые. Методы измерения спектральной плотности шума
  • ГОСТ 18986.24-83 - Диоды полупроводниковые. Метод измерения пробивного напряжения
  • ГОСТ 18986.3-73 - Диоды полупроводниковые. Метод измерения постоянного прямого напряжения и постоянного прямого тока
  • ГОСТ 18986.9-73 - Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения
  • ГОСТ 19138.0-85 - Тиристоры. Общие требования к методам измерения параметров
  • ГОСТ 19138.3-85 - Тиристоры триодные. Метод измерения времени выключения
  • ГОСТ 19138.4-73 - Тиристоры. Метод измерения времени включения, нарастания и задержки
  • ГОСТ 19138.5-85 - Тиристоры триодные. Метод измерения времени включения, нарастания и задержки
  • ГОСТ 19138.7-74 - Тиристоры. Метод измерения импульсного запирающего тока управления, импульсного запирающего напряжения управления, импульсного коэффициента запирания
  • ГОСТ 19834.0-75 - Излучатели полупроводниковые. Общие требования при измерении параметров
  • ГОСТ 19834.2-74 - Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости
  • ГОСТ 19834.3-76 - Излучатели полупроводниковые. Метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения
  • ГОСТ 19834.4-79 - Диоды полупроводниковые излучающие инфракрасные. Методы измерения мощности излучения
  • ГОСТ 19834.5-80 - Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения
  • ГОСТ 20.57.406-81 - Комплексная система контроля качества. Изделия электронной техники, квантовой электроники и электротехнические. Методы испытаний
  • ГОСТ 20398.0-83 - Транзисторы полевые. Общие требования при измерении электрических параметров
  • ГОСТ 20398.1-74 - Транзисторы полевые. Метод измерения модуля полной проводимости прямой передачи
  • ГОСТ 20398.13-80 - Транзисторы полевые. Метод измерения сопротивления сток-исток
  • ГОСТ 20398.8-74 - Транзисторы полевые. Метод измерения начального тока стока
  • ГОСТ 20398.9-80 - Транзисторы полевые. Метод измерения крутизны характеристики в импульсном режиме
  • ГОСТ 21493-76 - Изделия электронной техники. Требования по сохраняемости и методы испытаний
  • ГОСТ 23088-80 - Изделия электронной техники. Требования к упаковке, транспортированию и методы испытаний
  • ГОСТ 23135-78 - Изделия электронной техники. Общие требования при поставке на экспорт
  • ГОСТ 23448-79 - Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Основные размеры
  • ГОСТ 24354-80 - Индикаторы знакосинтезирующие полупроводниковые. Основные размеры
  • ГОСТ 24385-80 - Изделия электронной техники. Правила маркировки тары
  • ГОСТ 24613.0-81 - Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Общие положения при измерении электрических параметров
  • ГОСТ 24613.1-81 - Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Метод измерения проходной емкости
  • ГОСТ 24613.18-77 - Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Метод измерения сопротивления изоляции
  • ГОСТ 24613.19-77 - Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Метод измерения коэффициента передачи по току
  • ГОСТ 24613.3-81 - Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Метод измерения входного напряжения
  • ГОСТ 24613.6-81 - Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Метод измерения напряжения изоляции
  • ГОСТ 24613.8-83 - Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения критической скорости изменения напряжения изоляции
  • ГОСТ 24613.9-83 - Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Метод измерения временных параметров
  • ГОСТ 25024.4-85 - Индикаторы знакосинтезирующие. Методы измерения яркости, силы света, неравномерности яркости и неравномерности силы света
  • ГОСТ 25359-82 - Изделия электронной техники. Общие требования по надежности и методы испытаний
  • ГОСТ 25360-82 - Изделия электронной техники. Правила приемки
  • ГОСТ 25467-82 - Изделия электронной техники. Классификация по условиям применения и требования по стойкости к внешним воздействующим факторам
  • ГОСТ 25486-82 - Изделия электронной техники. Маркировка
  • ГОСТ 30668-2000 - Изделия электронной техники. Маркировка
  • ГОСТ 8.002-86 - Государственная система обеспечения единства измерений. Государственный надзор и ведомственный контроль за средствами измерений. Основные положения
  • ГОСТ Р ИСО 2859-1-2007 - Статистические методы. Процедуры выборочного контроля по альтернативному признаку. Часть 1. Планы выборочного контроля последовательных партий на основе приемлемого уровня качества

На документ ссылаются:


Информацию о документе или его статусе вы можете запросить у Оператора, воспользовавшись формой в правом нижнем углу сайта